2차원 반도체 결정 ‘시작점’ 제어 성공…400개 패턴 99% 단일핵 성장
30초 핵심 요약 국내 연구진이 2차원 반도체인 이황화몰리브덴(MoS₂)의 결정이 생기는 위치를 정밀하게 제어하는 기술을 개발해 국제학술지 네이처에 게재했습니다. 산화물 주변에서 유입되는 에칭 플럭스를 이용해 가장자리 핵생성을 억제하고 중앙에서 하나의 결정핵만 자라게 했으며, 400개 실험 패턴 가운데 99% 이상에서 단일 중심 단결정이 만들어졌습니다. 다만 이번 성과는 상용 AI 칩 완성을 뜻하는 것이 아니라 고품질 소재와 적층 … 더 읽기